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DDR4 Specifiche del modulo di memoria UDIMM

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Overview

Caratteristiche del prodotto

Modello: NS08GU4E8

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Trasporti: Ocean,Land,Air,Express

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Unità vendibili:: Piece/Pieces

8GB 2666MHz 288 pin ddr4 udimm

Cronologia delle revisioni

Revision No.	History	Draft Date	Remark
1.0	Initial Release	Apr. 2022

Tabella delle informazioni di ordinazione

Model	Density	Speed	Organization	Component Composition
NS08GU4E8	8GB	2666MHz	1Gx64bit	DDR4 1Gx8 *8

Descrizione
Hengstar DIMMS DDR4 SDRAM non infastiditi (moduli di memoria in linea DRAM DRAM DRAM DRAM in linea) sono moduli di memoria a bassa potenza e ad alta velocità che utilizzano dispositivi DDR4 SDRAM. NS08GU4E8 è un prodotto DDR4 DDR4-2666 DDR4-2666 da 1G X 64 Bit, basato su otto componenti FBGA a 8 bit da 1G X a 8 bit. L'SPD è programmato per la latenza standard JEDEC DDR4-2666 del 19-19-19 a 1,2 V. Ogni Dimm a 288 pin utilizza dita di contatto d'oro. Il DIMM non infranto SDRAM è destinato all'uso come memoria principale quando installato in sistemi come PC e workstation.

Caratteristiche
Perca potenza: VDD = 1.2V (da 1.14v a 1.26V)
VDDQ = 1.2V (da 1.14v a 1.26V)
VPP - 2.5V (da 2,375 V a 2,75 V)
VDDSPD = 2.25V a 3.6V
Inominale e dinamica Terminatura a dieta (ODT) per segnali di dati, strobo e maschera
 Aggiorna auto auto-power (LPASR)
 Data Bus Inversion (DBI) per bus dati
 On-die VreFDQ Generazione e calibrazione
In-board I2C Serial Presence-Detect (SPD) EEPROM
16 Banche interne; 4 gruppi di 4 banche ciascuno
 Coppino a burst (BC) di 4 e lunghezza di scoppio (BL) di 8 tramite il set di registro di modalità (MRS)
 Selezionabile BC4 o BL8 on-the-Fly (OTF)
 Databus Write Ridondancy Controck (CRC)
 Aggiornamento controllato con temperatura (TCR)
 COMMAND/INDIRIZZO (CA) PARITÀ
Per Dram Indirizzabilità è supportata
8 bit preimpresa
Topologia fly-by
Command/indirizzo latenza (CAL)
 Commando di controllo e bus di indirizzo terminato
pcb: altezza 1,23 "(31,25 mm)
 Contatti di bordo Gold
 Rohs conforme e senza alogeno

Parametri di temporizzazione dei tasti

MT/s	tCK (ns)	CAS Latency (tCK)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRAS (ns)	tRC (ns)	CL-tRCD-tRP
DDR4-2666	0.75	19	14.25	14.25	32	46.25	19-19-19

Tabella degli indirizzi

Configuration	Number of bank groups	Bank Group Address	Bank Address	Row Address	Column Address	Page size
8GB(1Rx8)	4	BG0-BG1	BA0-BA1	A0-A15	A0-A9	1 KB

Diagramma a blocchi funzionale

Modulo da 8 GB, 1GX64 (1RANK di X8)

Nota:

1. Accendi a meno che notato, i valori della resistenza sono 15Ω ± 5%.

2.ZQ i resistori sono 240Ω ± 1%. Per tutti gli altri valori di resistenza si riferiscono al diagramma di cablaggio appropriato.

3.Event_n è cablato su questo design. Può anche essere usato un SPD autonomo. Non sono richiesti cambiamenti di cablaggio.

Valutazioni massime assolute

Valutazioni DC massime assolute

Symbol	Parameter	Rating	Units	NOTE
VDD	Voltage on VDD pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VDDQ	Voltage on VDDQ pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VPP	Voltage on VPP pin relative to VSS	-0.3 ~ 3.0	V	4
VIN, VOUT	Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3,5
TSTG	Storage Temperature	-55 to +100	°C	1,2

Nota:

1.Stesses più grandi di quelle elencate in "Valutazioni massime assolute" possono causare danni permanenti al dispositivo.

Si tratta solo di una valutazione di sollecitazione e del funzionamento funzionale del dispositivo in queste o altre condizioni al di sopra di quelle indicate nelle sezioni operative di questa specifica non è implicito. L'esposizione a condizioni di valutazione massima assoluta per periodi prolungati possono influire sull'affidabilità.

2. Temperatura di stoccaggio è la temperatura della superficie del caso sul lato centrale/superiore della DRAM. Per le condizioni di misurazione, consultare lo standard JESD51-2.

3.VDD e VDDQ devono essere sempre entro 300 mV l'uno dall'altro; e VrefCA non deve essere maggiore di 0,6 x VDDQ, quando VDD e VDDQ sono inferiori a 500 mV; VREFCA può essere uguale o inferiore a 300 mV.

4.VPP deve essere uguale o maggiore di VDD/VDDQ in ogni momento.

5. L'area di overshoot sopra 1.5 V è specificata nel funzionamento del dispositivo DDR4 .

Intervallo di temperatura di funzionamento del componente DRAM

Symbol	Parameter	Rating	Units	Notes
TOPER	Normal Operating Temperature Range	0 to 85	°C	1,2
TOPER	Extended Temperature Range	85 to 95	°C	1,3

Appunti:

1.Fortera di temperatura operativa è la temperatura della superficie del caso sul lato centrale / superiore della DRAM. Per le condizioni di misurazione, consultare il documento JEDEC JESD51-2.

2. L'intervallo di temperatura normale specifica le temperature in cui saranno supportate tutte le specifiche DRAM. Durante il funzionamento, la temperatura del caso DRAM deve essere mantenuta tra 0 - 85 ° C in tutte le condizioni operative.

3. Alcune applicazioni richiedono il funzionamento della DRAM nell'intervallo di temperatura esteso tra la temperatura del caso di 85 ° C e 95 ° C. Le specifiche complete sono garantite in questo intervallo, ma si applicano le seguenti condizioni aggiuntive:

UN). I comandi di aggiornamento devono essere raddoppiati in frequenza, riducendo quindi l'intervallo di aggiornamento Trefi a 3,9 µs. È anche possibile specificare un componente con aggiornamento 1x (TREFI a 7,8 µs) nell'intervallo di temperatura esteso. Fare riferimento a Dimm SPD per la disponibilità dell'opzione.

B). Se è richiesto un funzionamento di autorefresh nell'intervallo di temperatura esteso, è obbligatorio utilizzare la modalità manuale di autorefresh con capacità di intervallo di temperatura esteso (MR2 A6 = 0B e MR2 A7 = 1B) o abilitare l'auto-rifresca auto opzionale Modalità (MR2 A6 = 1B e MR2 A7 = 0B).

Condizioni operative AC e DC

Condizioni operative DC consigliate

Symbol	Parameter	Rating			Unit	NOTE
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	NOTE
VDD	Supply Voltage	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VDDQ	Supply Voltage for Output	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VPP	Supply Voltage for DRAM Activating	2.375	2.5	2.75	V	3