Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

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DDR3 Specifiche del modulo di memoria UDIMM

Tipo di pagamento:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Quantità di ordine minimo:
1 Piece/Pieces
Trasporti:
Ocean,Air,Express,Land
  • Descrizione del prodotto
Overview
Caratteristiche del prodotto

ModelloNSO4GU3AB

Capacità di fornitura e informazioni ag...

TrasportiOcean,Air,Express,Land

Tipo di pagamentoL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Confezionamento e consegna
Unità vendibili:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 pin ddr3 udimm


Cronologia delle revisioni

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Tabella delle informazioni di ordinazione

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descrizione
Hengstar DIMMS DDR3 SDRAM non infastiditi (moduli di memoria in linea Dram a doppia frequenza dati DRAM) sono moduli di memoria di funzionamento ad alta velocità a bassa potenza che utilizzano dispositivi DDR3 SDRAM. NS04GU3AB è un prodotto DDR3 DDR3-1600 DDR3-1600 DDR3-1600 a due ranghi X da 512 m, basato su sedici componenti FBGA da 256 m a 8 bit. L'SPD è programmato per la latenza standard JEDEC DDR3-1600 di 11-11-11 a 1,5 V. Ogni Dimm a 240 pin utilizza dita di contatto d'oro. Il DIMM non infranto SDRAM è destinato all'uso come memoria principale quando installato in sistemi come PC e workstation.


Caratteristiche
Perca potenza: VDD = 1.5V (da 1.425v a 1.575V)
VDDQ = 1.5V (da 1.425v a 1.575V)
80000MHz FCK per 1600 MB/sec/pin
8 banca interna indipendente
 Latenza CAS programmabile: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Latenza additiva programmabile: 0, Cl - 2 o Cl - 1 Clock
 8-BIT Pre-FETCH
 Lunghezza per scopi: 8 (interleave senza limiti, sequenziale con l'indirizzo iniziale solo "000"), 4 con TCCD = 4 che non consente una lettura o scrittura senza soluzione di continuità [al volo usando A12 o MRS]
 Dati differenziali BIBI STROBE
 Calibrazione interiore (auto); Auto -calibrazione interna tramite PIN ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 La risoluzione del dado utilizzando ODT PIN
 Periodo di aggiornamento della media 7,8US a meno di TCASE 85 ° C, 3,9US a 85 ° C <tcase <95 ° C
 Reimposta asincrona
 Resotta da unità di output dati regolabile
Topologia fly-by
pcb: altezza 1,18 "(30 mm)
 Rohs conforme e senza alogeno


Parametri di temporizzazione dei tasti

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Tabella degli indirizzi

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Descrizioni dei pin

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Note La tabella di descrizione del pin seguente è un elenco completo di tutti i possibili pin per tutti i moduli DDR3. Tutti i pin elencati possono non essere supportato su questo modulo. Vedere le assegnazioni dei pin per informazioni specifiche per questo modulo.


Diagramma a blocchi funzionale

4 GB, modulo 512mx64 (2Rank di X8)

1


2


Nota:
1.La sfera ZQ su ciascun componente DDR3 è collegata a una resistenza esterna 240Ω ± 1% legata a terra. Viene utilizzato per la calibrazione del driver di terminazione e output del componente.



Dimensioni del modulo


Vista frontale

3

Vista frontale

4

Appunti:
1. tutte le dimensioni sono in millimetri (pollici); Max/min o tipico (tipo) dove indicato.
2.Tolerance su tutte le dimensioni ± 0,15 mm se non diversamente specificato.
3. Il diagramma dimensionale è solo a riferimento.

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